华邦电子(Winbond)创立于1987年9月,1995年于台湾证券交易所挂牌上市。今日的华邦以专业的内存集成电路公司为定位,主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,致力以先进的半导体设计及生产技术,提供客户特殊规格的内存解决方案。
华邦电子以「DRAM产品事业群」、「闪存IC事业群」及「记忆IC制造事业群」三大事业群为核心,不断追求产品与技术的创新,以落实竞争优势。DRAM产品方面,以所擅长的高速度和低功率内存核心设计技术,推出包含Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品,可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、计算机周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域,而具双倍数据传输率(Double Data Rate / DDR) Graphics DRAM-GDDR产品,则锁定个人计算机、游戏机和多媒体等应用市场对于高效能和高速度绘图内存解决方案的需求。
华邦电子(Winbond)DRAM产品事业群:
虚拟静态随机存取内存 (Pseudo SRAM)
低功耗动态随机存取内存 (Low Power DRAM)
利基型动态随机存取内存 (Specialty DRAM)
华邦自有品牌的Pseudo SRAM及Low Power DRAM主要应用于手机、数字相机、PDA、GPS、MP3等可携式电子产品。不同于标准DRAM,行Mobile RAM主要强调省电功能及低功率,为满足轻、薄、短、小系统设计的需求,华邦Mobile RAM产品可因应客户的特殊需求以裸晶方式(Known-Good-Die)]、或特殊的封装方式出货予客户。由于华邦Mobile RAM产品具有Tailor-Made特性,进入障碍比标准型DRAM高,因此比价格波动剧烈的标准型DRAM拥有相对稳定获利能力。
华邦在Pseudo SRAM方面,产品涵盖 16Mb ~ 256Mb,在高密度方面,华邦领先国际大厂推出256Mb产品(符合Cellular RAM 2.0G标准),属技术领先者。以市占率而言,华邦Pseudo SRAM产出量(自有产品+代工产品)占全球出货量约20%,为仅次于Samsung及Micron的第三大Pseudo SRAM制造商。
华邦电子(Winbond)DRAM 的竞争优势:
身为虚拟静态随机存取内存(Pseudo SRAM)全球主要领导厂商,华邦主要客户含Tier-One的国际级大厂,主要市场涵盖欧美、日本、韩国,由于进入市场早且与客户建立长期合作关系,因此,在与客户信息互享的优势下,华邦比后进者更能掌握市场趋势及脉动。
在利基型DRAM方面,华邦拥有优秀的研发团队,除在竹北拥有一支包括中、日、韩三国菁英的研发团队,在美国硅谷与日本横滨亦有研发团队。与Design House不同的是华邦具有Wafer制造工厂(Fab)的利基型DRAM厂商,拥有开发制程能力,加上没有DRAM Foundry厂商从中剥削制造利润,因此,华邦比Design House更能掌握制程技术及成本优势。此外,在自有产能无虞情况下,华邦更易取得客户对长期稳定供货的信赖。
华邦电子(Winbond)闪存IC事业群:
低密度(8Mb以下)及中密度(16Mb - 128Mb)Serial Flash
低密度(8Mb以下)及中密度(16Mb - 64Mb)Parallel Flash
华邦电子专注于NOR Flash的发展,其主要功能在于储存系统控制程序。目前所推出的多项产品,运用闪存关键技术,使闪存应用的涵盖领域除了PC产品之外,扩大拓展至消费性及通讯等3C市场,例如:数字相机、DVD录放机、MP3音乐播放机、打印机、机上盒(DVB-S,-T) 及汽车电子等;虽然NAND Flash 目前是大家比较注目的Flash产品,但NOR Flash 亦有极大的市场潜能,以NOR Flash中的Serial Flash为例,预测2011年全球市场规模将可达30亿美金。
华邦电子(Winbond)闪存IC的竞争优势:
华邦电子的闪存事业,目前为国内NOR Flash领导厂商之一,华邦深耕闪存事业,已是世界级大厂之主要Flash供货商之一,华邦之低容量并列式及串行式闪存,亦在主机板产品应用的市占率维持领先地位。我们对FLASH本产品线未来的发展抱有极高的期望,主要的原因有两个:
优秀的序列式闪存( Serial Flash)设计技术,继在2006年3月推出业界最高性能的序列式闪存后,2007年8月又推出业界首颗四通道SPI串行式闪存,其成本低,速度快,将可取代部份并列式闪存运用。此外于2007年年底前再推出三款W19B系列的并列式闪存,加快产品之数据读取速度及产品线之完整性。
透过自有的12吋晶圆厂及与8吋代工伙伴的良好合作关系,华邦电子有能力以弹性的生产满足客户的需求。
华邦电子(Winbond)记忆IC制造事业群:
低功率类动态存取内存(Low Power SDRAM)制造
虚拟静态随机存取内存(Pseudo SRAM)制造
利基型DRAM(Specialty DRAM)制造
闪存(Flash)制造
双存取同步动态随机存取内存(DDRⅡ)制造
华邦在记忆IC制造领域已耕耘多年,并持续以现有DRAM制程技术为核心,发展低耗电等先进制程,以位于中部科学园区的12吋厂为生产基地。目前中科厂区12吋厂之module A已全产能生产,并开始扩充module B的生产设备,制程技术亦由110奈米成功演进至75奈米,并依规划逐步量产,未来将朝65奈米迈进。
华邦电子(Winbond)记忆IC的竞争优势:
华邦中科12吋厂,使用高阶制程技术来满足产品演进的制程需求,陆续导入先进制程技术,提供客户全方位的服务需求。
华邦的Low Power DRAM制程技术源自于德国英飞凌公司(Infineon)的“沟槽式电容”基础DRAM制程技术(DRAM baseline process technology),再经过华邦制程技术研发团队改进而成。其后更与德国奇梦达公司(Qimonda AG)合作75奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议。为追求更精进的制程技术,华邦亦于日前正式宣布与德国奇梦达公司签署65奈米埋入式闸极字符线连结(Buried Wordline)DRAM技术移转协议,未来将可进一步强化华邦在行动内存领域之整体解决方案。
华邦拥有优良的制程技术与全自动化晶圆厂,近年来也致力于技术的提升及产能的扩充,目前公司的客户已经遍及台湾、大陆、日本与欧美各大厂。想享受与先进制程技术同步、体会在世界最领先的12吋Fab工作的时代感吗? 加入华邦记忆IC制造事业群是你不二的选择。
闪存产品方面,聚焦中低密度Parallel和Serial二种NOR Flash,本公司的NOR Flash产品以自有十二吋晶圆厂搭载先进制程技术生产,具低耗电、体积小及成本结构佳之特性,目前已获全球各大个人计算机及周边、光驱、无线网络、DSL调制解调器、DVD播放机、机上盒和电视机等厂商所采用,特别在主机板和光驱市场占有很高之市占率。
记忆IC产品制造方面,持续与国际大厂维持良好关系,取得先进制程技术,不仅提供合作伙伴高质量和高良率的晶圆代工服务,同时,以良好的成本结构和灵活的产能调配,来生产自有利基型DRAM和NOR Flash产品,更能充分满足市场需求,稳定带动公司之成长与获利。
华邦公司企业总部坐落于中部科学园区的十二吋晶圆厂,为能进一步维持与客户良好关系及强化地区性支持服务,华邦在美国、日本、香港等地均设有据点。此外,华邦团队累积丰厚智慧与经验,取得数量众多且优质之专利,追求卓越与创新,是华邦未来持续努力的目标;在产品质量方面,则透过严格的生产流程控制与品管作业,强化良率提升、供应链管理与客户满意度之成效,此外在公司方面,亦获得IECQ、ISO9001、ISO14001及QS9000国际质量认证的肯定。
华邦相信,团队力量是企业的根,华邦要求每位员工,要有「担当、创新、群效」的工作精神,并且将该工作文化深植于公司之各项经营活动之中,以达成公司策略目标,同时,为能提供员工一个安心工作的环境,内部亦建立起完善的培训课程、升迁管道和福利制度,并荣获行政院劳委会颁发「友善职场认证」之殊荣。
华邦TrustME W75和W77安全闪存系列提供安全的代码和数据存储解决方案,其安全等级等同SoC和应用处理器中所使用的嵌入式闪存。...
W25Q64ND 是64Mb的容量,将在明年2019上半年提供客户样品。容量128Mb的产品也正在开发中,预计在明年2019底可提供客户样品。...
W25R SpiFlash系列产品的安全性功能完全符合英特尔定义的RPMC规范。 RPMC 闪存可用于保护PC上的重要数据的机密性和完整性,并防堵一般闪存容易遭受的rollback攻击。...
华邦电子保证其下所有新世代高质量串行式NAND型闪存系列产品在出货时及100次擦写次数内不会有坏块出现。...
华邦电子此次与德国代理商 Atlantik Electronik GmbH 联合展出,并将于德国慕尼黑电子展呈现华邦产品,包含闪存、移动随机存取内存及利基型动态随机存取内存等。...
华邦公司的LPDDR SDRAM(低功耗DDR SDRAM)产品系列的设计具有特定功能,以减少电力消耗,包括部分阵列自刷新(PASR),自动温度补偿自刷新(ATCSR),掉电模式,深功率下降模式和可编程输出缓冲器驱动强度。
华邦公司的LPSDR SDRAM(低功耗SDR SDRAM)产品系列的设计具有特定功能的,以减少电力消耗,包括部分阵列自刷新(PASR),自动温度补偿自刷新(ATCSR),掉电模式,深功率下降模式和可编程输出缓冲器驱动强度。
伪SRAM(静态随机存取记忆体)与传统SRAM接口的DRAM宏核心的片上刷新电路,使用户需要照顾这个任务。 相对于传统的CMOS SRAM,PSRAM具有更高密度,更高的速度,更小的芯片尺寸,和DRAM兼容的过程。
DDR3 SDRAM(双数据速率同步动态随机存取记忆体第3代)是一种在计算机和消费类电子产品所使用的内存。 它实现了更大的带宽比前面的DDR2 SDRAM更高的时钟频率。
DDR2 SDRAM(双数据速率同步动态随机存取存储器第2代)是一种在计算机和消费类电子产品所使用的内存。 它实现了更大的带宽比前DDR SDRAM更高的时钟频率
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