双倍数据传输速率同步动态随机存取内存
DDR SDRAM或双数据速率同步动态随机存取记忆体是一种在计算机和消费类电子产品所使用的内存。 它实现更大的带宽比前述的单数据速率SDRAM上的上升沿和下降沿的时钟信号的传输数据。
64MB DDR
产品编号 |
组织 |
电压 |
速度等级 |
包 |
状态* |
RoHS指令 |
采购 |
|||
W |
4Mbitx16 |
4银行 |
2.6V±0.1V |
-4 |
在250 MHz |
CL3/CL4 |
66针TSOP II封装,采用无铅材料,符合RoHS标准 |
NRFND |
|
|
2.5V±0.2V |
-5/-5I |
200 MHz的 |
CL3 |
|||||||
-6/-6I |
166 MHz的 |
CL2.5 |
||||||||
W |
4Mbitx16 |
4银行 |
2.4V2.7V |
-4 |
在250 MHz |
CL3/CL4 |
66针TSOP II封装,采用无铅材料,符合RoHS标准 |
P |
|
|
2.5V±0.2V |
-5/-5I |
200 MHz的 |
CL3 |
*状态:P =大批量生产,S(时间)=样品准备时间,UD(时间)=发展(准备时间),NRFND =不推荐用于新设计,EOL =生命的尽头。
128MB DDR
产品编号 |
组织 |
电压 |
速度等级 |
包 |
状态* |
RoHS指令 |
采购 |
|||
W |
8Mbitx16 |
4银行 |
2.5V±0.1V |
-4 |
在250 MHz |
CL3/CL4 |
66针TSOP II封装,采用无铅材料,符合RoHS标准 |
NRFND |
|
|
2.5V±0.2V |
-5/-5I |
200 MHz的 |
CL3 |
|||||||
-6/-6I |
166 MHz的 |
CL2.5 |
||||||||
W |
8Mbitx16 |
4银行 |
2.4V |
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华邦半导体以DRAM产品事业群、闪存IC事业群及记忆IC制造事业群三大事业群为核心,不断追求产品与技术的创新
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