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低功耗双存取同步动态随机存取内存 | Winbond 移动随机存取内存
低功耗双存取同步动态随机存取内存（低功耗DDR SDRAM）
华邦公司的LPDDR SDRAM（低功耗DDR SDRAM）产品系列的设计具有特定功能，以减少电力消耗，包括部分阵列自刷新（PASR），自动温度补偿自刷新（ATCSR），掉电模式，深功率下降模式和可编程输出缓冲器驱动强度。
产品编号 密度 组织 速度等级 电压 包 状态* RoHS指令
W947D6HBHX 6E 128兆位 X16 为166MHz，-25℃85℃ 1.8V / 1.8V 60VFBGA P
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W947D2HBJX 6E X32 为166MHz，-25℃85℃ 90VFBGA
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W948D6FBHX 6E 256兆比特 X16 为166MHz，-25℃85℃ 1.8V / 1.8V 60VFBGA P
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W948D2FBJX 6E X32 为166MHz，-25℃85℃ 90VFBGA
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W949D6CBHX 6E 512兆位 X16 为166MHz，-25℃85℃ 1.8V / 1.8V 60VFBGA P
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W949D2CBJX 6E X32 为166MHz，-25℃85℃ 90VFBGA
5E 为200MHz，-25℃85℃
6I 为166MHz，-40℃至85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W949D6KBHX 6E 512兆位 X16 为166MHz，-25℃85℃ 1.8V / 1.8V 60VFBGA P
5E 为200MHz，-25℃85℃
5I 为200MHz，-40℃至85℃
W949D2KBJX 6E X32 为166MHz，-25℃85℃ 90VFBGA
扩展了解：低功耗双存取同步动态随机存取内存 | 低功耗单存取同步动态随机存取内存 | 虚拟静态随机存取内存 | 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-3nd generation(第三代) | 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-2nd generation(第二代) | 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存 |
Winbond（华邦）官网发布的行业动态（2024年11月21日更新）
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